ADF4351 MÓDULO DESARROLLO DE DESARROLLO PASEO FASHE-BLOQUEADO PLL Fuente de señal de RF Galaxy S25 Ultra 5G anillo de sellado de alta

anillo de sellado de alta calidad

Soporte del sistema: Windows XP

S2 / S3: MCU

Tipo de batería: 2190 mAh (8

Admite la función de sincronización

ADF4351 MÓDULO DESARROLLO DE DESARROLLO PASEO FASHE-BLOQUEADO PLL Fuente de señal de RF Galaxy S25 Ultra 5G anillo de sellado de alta1. Rango de frecuencia de salida: ADF4351: 35M 4400M (4. 4G) 2. Seal de salida: onda fundamental de 2200m 4400m (onda sinusoidal) 35M 2200M Divisin de frecuencia de onda fundamental (onda cuadrada) 3. Interfaz de seal de salida: hembra SMA 4. Modo de control: SPI de tres cables, el pin de control de la salida y el pasador de estado de bloqueo, puede realizar todas las funciones, incluida la frecuencia del punto, la frecuencia de barrido y la salto de